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不同维度纳米材料优缺点

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问题更新日期:2024-05-18 07:15:18

问题描述

不同维度纳米材料优缺点求高手给解答
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一、不同维度纳米材料的优点:

①力学性能。

高温、高硬、高强是结构材料开发的永恒主题,纳米结构材料的硬度或强度与粒径成反比,符合Hall-Retch关系式。材料晶粒的细化及高密度界面的存在,必将对纳米材料的力学性能产生很大的影响。在纳米材料中位错密度非常低,位错滑移和增殖采取Frand-Reed模型,其临界位错圈的直径比纳米晶粒粒径还要大,增殖后位错塞积的平均间距一般比晶粒大,所以在纳米材料中位错的滑移和增殖不会发生,此即纳米晶强化效应。

②光学性能。纳米粒子的粒径(10~100nm)小于光波的波长,因此将与入射光产生复杂的交互作用。金属在适当的蒸发沉积条件下,可得到易吸收光的黑色金属超微粒子,称为金属黑,这与金属在真空镀膜时形成的高反射率光泽面成强烈对比。由于量子尺寸效应,纳米半导体微粒的吸收光泽普遍存在蓝移现象,纳米材料因其光吸收率大的特色,可应用于红外线感测器材料。此外,TiO2超细或纳米粒子还可用于抗紫外线用品。当人们将宏观物体细分成纳米级的超微颗粒后,它将显示出许多奇异的特性,即它的光学、热学、电学、磁学、力学以及化学方面的性质和大块固体时相比将会有显著的不同二、其缺点有:

①点缺陷。又叫做零维缺陷,由于原子的热运动,是无法避免的。点缺陷包括空位、取代(杂质原子替代原本的原子)、间隙(杂质原子处于原本原子形成的空隙之间,可以由本身原子形成,也可以由外来原子形成)等。如,空位就是一种零维缺陷。

②线缺陷。位错的线长度及位错运动的平均自由程均小于晶粒的尺寸。如,位错就是一种一维缺陷。

③面缺陷。纳米晶粒内的位错具有尺寸效应,当晶粒小于某一临界尺寸时,位错不稳定,趋向于离开晶粒,而当粒径大于该临界尺寸时,位错便稳定地存在于晶粒内。如,孪晶、层错等,这是一种二维缺陷。

其他回答

纳米材料的优点:

除味、杀菌、韧性强、延长老化时间等。

缺点:

一、点缺陷,如空位,溶质原子和杂质原子等,这是一种零维缺陷。

二、线缺陷,如位错,一种一维缺陷,位错的线长度及位错运动的平均自由程均小于晶粒的尺寸。

三、面缺陷,如孪晶、层错等,这是一种二维缺陷。纳米晶粒内的位错具有尺寸效应,当晶粒小于某一临界尺寸时,位错不稳定,趋向于离开晶粒,而当粒径大于该临界尺寸时,位错便稳定地存在于晶粒内。位错与晶粒大小之间的关系为:1)当晶粒尺寸在50~100nm之间,温度<0.5mTm时,位错的行为决定了材料的力学性能。随着晶粒尺寸的减小,位错的作用开始减小。

2)当晶粒尺寸在30—50nm时可认为基本上没有位错行为。

3)当晶粒尺寸小于10nm时产生新的位错很困难。

4)当晶粒小于约2nm时,开动位错源的应力达到无位错晶粒的理论切应力。