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Mr效应
问题描述
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即磁阻效应(Magnetoresistance Effects),是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
同霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。
在达到稳态时,某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等,载流子在两端聚集产生霍尔电场,比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转,比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。
这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说,沿外加电场方向运动的载流子数减少,从而使电阻增加。
这种现象称为磁阻效应
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在临床MRI检查中,为了提高图像信噪比,绝大多数脉冲序列都采用表面线圈或者多通道相控阵线圈来采集MR信号。
与体线圈相比,表面线圈包括相控阵线圈接收MR信号在整个采集容积区域是不均匀的,越靠近线圈的部位采集到的信号越高,而越远离线圈的部位采集到的信号越低,这种现象称为近线圈效应,是由于线圈的空间敏感度差异所致。
- 其他回答
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磁阻效应(Magnetoresistance Effect, MR)是指材料之电阻随着外加磁场的变化而改变的效应。衡量磁阻(Magnetoresistance ,缩写为MR)的物理量定义为外加磁场后的电阻变化率,即:在有无外加磁场下的电阻之差除以无外加磁场时的电阻。
磁阻效应明显的材料称为磁阻材料,最典型的磁阻材料是锑化铟(InSb)。
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