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nce80h12场效应管参数

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问题更新日期:2024-12-14 12:45:43

问题描述

nce80h12场效应管参数,在线求解答
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NCE80H12 是 ON Semiconductor 公司生产的一款 N 通道 MOSET 场效应管。它的主要参数如下:

1. 最大漏极电压(Vdss):80V

2. 最大漏极电流(Id):80A

3. 最大功率(Pd):300W

4. 门源电压范围(Vgs):-20V到+20V

5. 栅源电压峰值(Vgs (max)):±30V

6. 静态漏极-源极电阻(Rds(on)):7mΩ(在Vgs=10V时)

7. 工作温度范围(Tj):-55℃到+175℃

8. 封装类型:TO-220

NCE80H12 是一款低电阻、高电流和高电压的 N 沟道 MOSFET 场效应管,适合于工业、汽车和通信等领域的高性能开关应用。其低Rds(on)值和高功率使其具有低损耗和高效率的特点,可以在高速切换应用中提供优异的性能。

其他回答

nce80h12场效应管的参数:120V、功率200w,电流1.7A,频率2KHz。